IPW60R041C6FKSA1 vs IRFP2907PBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPW60R041C6FKSA1 بذریعہ Infineon اور IRFP2907PBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPW60R041C6FKSA1 IRFP2907PBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت NRND فعال
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C —
پیکیج PG-TO247-3-1 (TO-247-3) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole —
MSL لیول Not Applicable (Through-hole) —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFP2907PBF
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C — 209 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 4.5 mOhm at V_GS = 10 V
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C — 470 W
Total Gate Charge (Q_g) — 410 nC
Maximum Junction Operating Temperature — +175 C
Package / Mounting Type — TO-247AC (Through Hole)
پن کی تعداد — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Avalanche Rated — Yes (repetitive avalanche rated)
Body Diode — Integral (no external anti-parallel diode required)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں