IPW60R041C6FKSA1 vs IRFP2907PBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IPW60R041C6FKSA1 bằng Infineon và IRFP2907PBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFP2907PBF IRFP2907PBF - 75V 209A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP2907PBF - 75V 209A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFP2907PBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPW60R041C6FKSA1 IRFP2907PBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời NRND Hoạt động
Technology CoolMOS™ C6 (Superjunction N-channel) HEXFET Stripe Planar DMOS (N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 77.5 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 481 W —
On-State Resistance (RDS(on)) 41 mΩ at VGS=10V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V typical —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr value] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf value] —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +150°C —
Hộp PG-TO247-3-1 (TO-247-3) —
Kiểu lắp đặt Through Hole —
Cấp MSL Not Applicable (Through-hole) —
Trạng thái RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFP2907PBF
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 75 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25 C — 209 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (R_DS(on)) — 4.5 mOhm at V_GS = 10 V
Power Dissipation (P_D) at T_C = 25 C — 470 W
Total Gate Charge (Q_g) — 410 nC
Maximum Junction Operating Temperature — +175 C
Package / Mounting Type — TO-247AC (Through Hole)
Số chân — 3 (Gate, Drain, Source)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Avalanche Rated — Yes (repetitive avalanche rated)
Body Diode — Integral (no external anti-parallel diode required)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá