IQDH88N06LM5ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQDH88N06LM5ATMA1 द्वारा Infineon और IQDH35N03LM5SCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQDH88N06LM5ATMA1 - 60V 447A 0.86mOhm N-FET | Infineon OptiMOS 5
IQDH88N06LM5ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQDH88N06LM5ATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Drain Current (ID) Continuous at Ta | 42 A | — |
| Drain Current (ID) Continuous at Tc | 447 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 0.86 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 333 W | 278 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| पैकेज | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: TJ max] | -55 C to +175 C |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |