IQDH88N06LM5ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQDH88N06LM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور IQDH35N03LM5SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IQDH35N03LM5SCATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 - 30V 700A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQDH35N03LM5SCATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQDH88N06LM5ATMA1 IQDH35N03LM5SCATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench) OptiMOS 5 (trench, shielded-gate)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Drain Current (ID) Continuous at Ta 42 A —
Drain Current (ID) Continuous at Tc 447 A —
RDS(on) Max at VGS=10V 0.86 mOhm —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W 2.5 W
Power Dissipation (PD) at Tc 333 W 278 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
پیکیج PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج [DATA_NEEDED: TJ max] -55 C to +175 C
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (unlimited)
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 5 —
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 66 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 700 A
On-State Resistance (RDS(on)) max — 0.35 mOhm @ VGS=10V
Marking — IQDH35N03LM5S

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں