IQDH88N06LM5ATMA1 vs IQDH35N03LM5SCATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQDH88N06LM5ATMA1 מאת Infineon ו IQDH35N03LM5SCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IQDH88N06LM5ATMA1 | IQDH35N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench) | OptiMOS 5 (trench, shielded-gate) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Drain Current (ID) Continuous at Ta | 42 A | — |
| Drain Current (ID) Continuous at Tc | 447 A | — |
| RDS(on) Max at VGS=10V | 0.86 mOhm | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 333 W | 278 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| מארז | PG-TSON-8-9 (PQFN 5x6) | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 Source-Down, 8-pin) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: TJ max] | -55 C to +175 C |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (unlimited) |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 66 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) at Tc | — | 700 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 0.35 mOhm @ VGS=10V |
| Marking | — | IQDH35N03LM5S |