IQE008N03LM5CGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE008N03LM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon और IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE008N03LM5CGSCATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 252 A (per channel, case-temperature limited) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 0.85 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C (junction) | — |
| पैकेज | PG-WHTFN-9 (WHTFN) | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (top + bottom cooling) | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | Silicon N-Channel Power MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| पिन की संख्या | 9 (WHTFN with exposed thermal pads) | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| हैलोजन फ्री | Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 422 A |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |