IQE008N03LM5CGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE008N03LM5CGSCATMA1 tarafından Infineon ve IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 ✓ AktifInfineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IQE008N03LM5CGSCATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 252 A (per channel, case-temperature limited) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 0.85 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | — |
| Paket | PG-WHTFN-9 (WHTFN) | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| Montaj Türü | Surface Mount (top + bottom cooling) | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | Silicon N-Channel Power MOSFET |
| Polarity | N-Channel | — |
| Pin Sayısı | 9 (WHTFN with exposed thermal pads) | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Klorürsüz | Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) | — |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 422 A |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |