IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE008N03LM5SCATMA1 द्वारा Infineon और IQE013N04LM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE008N03LM5SCATMA1 | IQE013N04LM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | OptiMOS N-channel trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 252 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 0.85 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | 2 V (typ) |
| Gate Drive Voltage | 10 V (recommended) | — |
| पैकेज | PG-WHSON-8 (Source-Down) | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling Architecture | Source-Down, dual-side cooling | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C | -55 °C to +175 °C |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 205 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) typ | — | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A |
| Source-Down Topology | — | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) |