IQE022N06LM5CGATMA1 vs IQE018N06NM6CGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE022N06LM5CGATMA1 द्वारा Infineon और IQE018N06NM6CGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IQE022N06LM5CGATMA1 - 60V OptiMOS 5 N-Ch MOSFET, 2.2mΩ | Infineon
IQE022N06LM5CGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE022N06LM5CGATMA1 | IQE018N06NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 5 | — |
| Technology | N-Channel Power MOSFET (Enhancement Mode) | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C | 151 A | — |
| R_DS(on) (typical, V_GS=10V) | 2.2 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) value] | 3.3 V (logic-level compatible) |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G value] | — |
| Power Dissipation (T_A) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (T_C) | 100 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +150C | -55C to +175C (junction) |
| पैकेज | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 mm) | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 9 (with exposed thermal pad) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Product Family | — | OptiMOS 6 60V |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 178 A |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | — | 25 A |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | — | 1.8 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 125 W |
| RoHS Compliance | — | Compliant |