IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IQD009N06NM5SCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 द्वारा Infineon और IQD009N06NM5SCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 | IQD009N06NM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 422 A | — |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | 0.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 150 W | 333 W |
| Maximum Junction Temperature | +175 degrees C | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 degrees C to +175 degrees C | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| पैकेज | PG-TTFN-9-3 | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 7 (Trench-Gate) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Qualification | Industrial grade per Infineon datasheet | — |
| Part Series | — | OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 445 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 0.9 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL classification] |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (suffix SCATMA1) |