IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IQD009N06NM5SCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 بذریعہ Infineon اور IQD009N06NM5SCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 - 25V 422A OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 | IQD009N06NM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 54 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 422 A | — |
| Maximum On-Resistance (Rds(on)) | 0.5 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7 V | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 150 W | 333 W |
| Maximum Junction Temperature | +175 degrees C | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 degrees C to +175 degrees C | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| پیکیج | PG-TTFN-9-3 | PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 7 (Trench-Gate) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Qualification | Industrial grade per Infineon datasheet | — |
| Part Series | — | OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 445 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 0.9 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL classification] |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (suffix SCATMA1) |