IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 vs IQD009N06NM5SCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 tarafından Infineon ve IQD009N06NM5SCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQEH50NE2LM7ZCGATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (Vds) Max 25 V —
Continuous Drain Current (Ta) 54 A —
Continuous Drain Current (Tc) 422 A —
Maximum On-Resistance (Rds(on)) 0.5 mOhm —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) 1.7 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 3 W
Power Dissipation (Tc) 150 W 333 W
Maximum Junction Temperature +175 degrees C —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 degrees C to +175 degrees C [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Paket PG-TTFN-9-3 PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 7 (Trench-Gate) —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Qualification Industrial grade per Infineon datasheet —
Part Series — OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5)
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 42 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 445 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 0.9 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL classification]
Tape and Reel Packaging — Yes (suffix SCATMA1)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin