IRF1018EPBF vs IRF3007STRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF1018EPBF द्वारा Infineon और IRF3007STRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF1018EPBF | IRF3007STRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $0.38 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (Power MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 79 A | — |
| Rds(on) max at Vgs=10V | 8.4 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 46 nC | 110 nC typical |
| Gate Drive Voltage (Vgs) | 10 V (optimized; +/-20 V max) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 110 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C (Tj) | — |
| पैकेज | TO-220AB (through-hole, 3-lead) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC (Industrial market) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (Lead-Free, PBF suffix) |
| Lead-Free (PBF suffix) | Yes | — |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C | — | 62 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 250 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 12.6 mΩ typical at VGS=10V |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Maximum Power Dissipation (Pd) | — | 120 W at Tc=25°C |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55°C to +175°C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | 1.0 °C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) | — | 40 °C/W |
| Package Type | — | D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount |
| Avalanche Rated | — | Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax) |