IRF1018EPBF vs IRF3007STRLPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRF1018EPBF מאת Infineon ו IRF3007STRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRF1018EPBF | IRF3007STRLPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $0.38 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (Power MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 79 A | — |
| Rds(on) max at Vgs=10V | 8.4 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 46 nC | 110 nC typical |
| Gate Drive Voltage (Vgs) | 10 V (optimized; +/-20 V max) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 110 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C (Tj) | — |
| מארז | TO-220AB (through-hole, 3-lead) | — |
| סוג הרכבה | Through Hole | Surface Mount |
| Qualification | JEDEC (Industrial market) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free, PBF suffix) |
| Lead-Free (PBF suffix) | Yes | — |
| מספר פינים | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-to-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25°C | — | 62 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 250 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 12.6 mΩ typical at VGS=10V |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Maximum Power Dissipation (Pd) | — | 120 W at Tc=25°C |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55°C to +175°C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | 1.0 °C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) | — | 40 °C/W |
| Package Type | — | D2PAK (TO-263), 3-pin (2+Tab), Surface Mount |
| Avalanche Rated | — | Yes (Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax) |