IRF7341GTRPBF vs ISA250300C04LMDSXTMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7341GTRPBF द्वारा Infineon और ISA250300C04LMDSXTMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
ISA250300C04LMDSXTMA1 - 40V Dual N+P OptiMOS 3 MOSFET | Infineon
ISA250300C04LMDSXTMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF7341GTRPBF | ISA250300C04LMDSXTMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 5.1 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 50 mOhm at VGS=10V | — |
| Power Dissipation (PD) | 2.4 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| Configuration | Dual N-Channel | Dual N-channel + P-channel (N+P array) |
| Technology | IR HEXFET Planar MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| पैकेज | 8-SO (SOIC-8) | SO-8 (PG-DSO-8-920) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) range per channel] |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typical] | — |
| Output Capacitance (Coss) | [DATA_NEEDED: Coss typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | Yes |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Continuous Drain Current N-channel | — | 5.9 A (Ta), 7.9 A (Tc) |
| Continuous Drain Current P-channel | — | 5.8 A (Ta), 7.8 A (Tc) |
| Power Dissipation | — | 1.4 W (Ta), 2.5 W (Tc) |
| Packaging | — | Tape & Reel (suffix XTMA1) |
| Datasheet Document | — | Infineon ISA250300C04LMDS datasheet (per Infineon product page) |
| On-Resistance RDS(on) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) per channel at specified VGS] |