IRF7341GTRPBF vs ISA250300C04LMDSXTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7341GTRPBF بذریعہ Infineon اور ISA250300C04LMDSXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
ISA250300C04LMDSXTMA1 ISA250300C04LMDSXTMA1 - 40V Dual N+P OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

ISA250300C04LMDSXTMA1 - 40V Dual N+P OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

ISA250300C04LMDSXTMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7341GTRPBF ISA250300C04LMDSXTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 5.1 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) 2.4 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Configuration Dual N-Channel Dual N-channel + P-channel (N+P array)
Technology IR HEXFET Planar MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 3)
پیکیج 8-SO (SOIC-8) SO-8 (PG-DSO-8-920)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) range per channel]
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current N-channel — 5.9 A (Ta), 7.9 A (Tc)
Continuous Drain Current P-channel — 5.8 A (Ta), 7.8 A (Tc)
Power Dissipation — 1.4 W (Ta), 2.5 W (Tc)
Packaging — Tape & Reel (suffix XTMA1)
Datasheet Document — Infineon ISA250300C04LMDS datasheet (per Infineon product page)
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) per channel at specified VGS]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں