IRF7341GTRPBF vs ISA250300C04LMDSXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7341GTRPBF tarafından Infineon ve ISA250300C04LMDSXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
ISA250300C04LMDSXTMA1 ISA250300C04LMDSXTMA1 - 40V Dual N+P OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

ISA250300C04LMDSXTMA1 - 40V Dual N+P OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

ISA250300C04LMDSXTMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7341GTRPBF ISA250300C04LMDSXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) 5.1 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) 2.4 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Configuration Dual N-Channel Dual N-channel + P-channel (N+P array)
Technology IR HEXFET Planar MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Paket 8-SO (SOIC-8) SO-8 (PG-DSO-8-920)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th) range per channel]
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typical] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Continuous Drain Current N-channel — 5.9 A (Ta), 7.9 A (Tc)
Continuous Drain Current P-channel — 5.8 A (Ta), 7.8 A (Tc)
Power Dissipation — 1.4 W (Ta), 2.5 W (Tc)
Packaging — Tape & Reel (suffix XTMA1)
Datasheet Document — Infineon ISA250300C04LMDS datasheet (per Infineon product page)
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) per channel at specified VGS]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin