IRF7854TRPBF vs IRFH5301TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7854TRPBF द्वारा Infineon और IRFH5301TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF7854TRPBF | IRFH5301TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $0.48 | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 10 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 13.4 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max | 4.9 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 27 nC | — |
| पैकेज | SO-8 | PQFN (5x6 mm) Single Die |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (planar N-channel) | HEXFET (StrongIRFET) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +150°C (TJ) | -55C to +150C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | — |
| Qualification | JEDEC industrial, Normal level | JEDEC standard |
| Solder Process | Reflow and wave-solderable | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (TA, 25C) | — | 35 A |
| Continuous Drain Current (TC, 25C) | — | 100 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.85 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 37 nC (typical) |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 110 W |
| Gate Drive Logic Level | — | Optimized for 5 V VGS drive |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Halogen-free |