IRF7854TRPBF vs IRFH5301TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF7854TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFH5301TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF7854TRPBF IRFH5301TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $0.48 —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
پیکیج SO-8 PQFN (5x6 mm) Single Die
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) HEXFET (StrongIRFET)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C (TJ) -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level JEDEC standard
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (TA, 25C) — 35 A
Continuous Drain Current (TC, 25C) — 100 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.85 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — 37 nC (typical)
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 110 W
Gate Drive Logic Level — Optimized for 5 V VGS drive
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Halogen-free

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں