IRFR220NTRPBF vs IRFR1205TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR220NTRPBF द्वारा Infineon और IRFR1205TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR220NTRPBF | IRFR1205TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 5 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | 160 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | 2 V min, 4 V max |
| On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V | 600 milliohm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 15 nC (typical per Mouser listing) | 43.3 nC |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C | 43 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55°C to +150°C | -55C to +175C |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (PBF suffix) | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Avalanche Energy Rated | Yes (fully characterized) | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 44 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 27 mOhm max |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 107 W |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] |