IRFR220NTRPBF vs IRFR1205TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR220NTRPBF توسط Infineon و IRFR1205TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR220NTRPBF IRFR1205TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 5 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 160 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] 2 V min, 4 V max
On-Resistance Rds(on) max at VGS=10V 600 milliohm —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC (typical per Mouser listing) 43.3 nC
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25°C 43 W —
دمای اتصال کاری -55°C to +150°C -55C to +175C
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) —
وضعیت RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Energy Rated Yes (fully characterized) —
Lead-Free Yes (PBF suffix indicates Pb-free plating) —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 44 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت