IRFR5305TRLPBF vs IRFU5305PBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR5305TRLPBF द्वारा Infineon और IRFU5305PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF - -55V P-Channel MOSFET, 31A, 65mΩ | Infineon

IRFR5305TRLPBF - -55V P-Channel MOSFET, 31A, 65mΩ | Infineon

IRFR5305TRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFU5305PBF IRFU5305PBF - -55V P-Ch HEXFET MOSFET, 31A, IPAK | Infineon

IRFU5305PBF - -55V P-Ch HEXFET MOSFET, 31A, IPAK | Infineon

IRFU5305PBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR5305TRLPBF IRFU5305PBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] -110 A (pulsed)
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +175C -55 °C to +175 °C
पैकेज TO-252AA (DPAK), surface mount IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes (EAS rated)
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") —
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -31 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 65 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 110 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.36 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 62 °C/W
RoHS Compliance — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध