IRFR5305TRLPBF vs IRFU5305PBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRFR5305TRLPBF tarafından Infineon ve IRFU5305PBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRFR5305TRLPBF IRFU5305PBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -31 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] -110 A (pulsed)
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V 65 mΩ —
RDS(on) max at VGS=-5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Paket TO-252AA (DPAK), surface mount IPAK (TO-251AA) Through-Hole, 3 pins
Montaj Türü Surface Mount Through Hole
Technology HEXFET fifth-generation planar MOSFET —
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes (EAS rated)
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free, suffix "PBF") —
Tape & Reel Orientation Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left) —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc — -31 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 65 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 42 nC (typical)
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 110 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 1.36 °C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) — 62 °C/W
RoHS Compliance — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin