IRFR5505TRPBF vs IRLR9343TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR5505TRPBF द्वारा Infineon और IRLR9343TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR9343TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR9343TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR5505TRPBF IRLR9343TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series HEXFET —
Polarity P-Channel P-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET 5th generation) IR HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -72 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V [DATA_NEEDED: max VGS rating]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 110 mOhm 105 mOhm
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC 31 nC (typical)
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 57 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 2.2 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper) —
पैकेज TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TO252-3 (DPAK) Surface Mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes
Part Number — IRLR9343TRPBF
FET Type — P-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -20 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 79 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — [DATA_NEEDED: Tj min/max operating range]
MSL स्तर — 1
Optimized Application — Class-D audio amplifier output stages

डेटाशीट और संसाधन

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