IRFR5505TRPBF vs IRLR9343TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR5505TRPBF bằng Infineon và IRLR9343TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR9343TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR9343TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR5505TRPBF IRLR9343TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series HEXFET —
Polarity P-Channel P-Channel
Technology IR MOSFET (HEXFET 5th generation) IR HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -18 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -72 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current rating]
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V [DATA_NEEDED: max VGS rating]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 110 mOhm 105 mOhm
Total Gate Charge (Qg) 21.3 nC 31 nC (typical)
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr] —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 57 W —
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 C to +175 C —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 2.2 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper) —
Hộp TO-252AA (DPAK), surface mount PG-TO252-3 (DPAK) Surface Mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix) Yes
Part Number — IRLR9343TRPBF
FET Type — P-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -20 A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 79 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: Tj min/max operating range]
Cấp MSL — 1
Optimized Application — Class-D audio amplifier output stages

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá