IRFR6215TRLPBF vs IRFR5505TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR6215TRLPBF द्वारा Infineon और IRFR5505TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR6215TRLPBF IRFR6215TRLPBF - 150V P-Ch HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon

IRFR6215TRLPBF - 150V P-Ch HEXFET MOSFET, 13A, DPAK | Infineon

IRFR6215TRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF - P-Channel 55V 18A HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5505TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR6215TRLPBF IRFR5505TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] -72 A
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/-20 V
RDS(on) max at VGS=-10V 580 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) typ 44 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Maximum Operating Junction Temperature 175 C —
पैकेज TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) IR MOSFET (HEXFET 5th generation)
MSL स्तर 1 —
RoHS स्थिति Compliant Compliant (PBF suffix)
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -18 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 110 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 21.3 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 57 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 2.2 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper)

डेटाशीट और संसाधन

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