IRFR6215TRLPBF vs IRFR5505TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFR6215TRLPBF توسط Infineon و IRFR5505TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFR6215TRLPBF IRFR5505TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -13 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] -72 A
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/-20 V
RDS(on) max at VGS=-10V 580 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) typ 44 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
Maximum Operating Junction Temperature 175 C —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation) IR MOSFET (HEXFET 5th generation)
سطح MSL 1 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (PBF suffix)
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) max — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -18 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 110 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 21.3 nC
Gate-Source Charge (Qgs) — [DATA_NEEDED: Qgs]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr]
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf]
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C — 57 W
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 2.2 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت