IRL3705NPBF vs IRF3205STRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRL3705NPBF द्वारा Infineon और IRF3205STRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRL3705NPBF | IRF3205STRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | 89 A | — |
| पल्स्ड ड्रेन करंट | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | 170 W | — |
| On-Resistance R_DS(on) | 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V) | — |
| Gate Threshold V_GS(th) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge Q_g | 65.3 nC | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| Technology | HEXFET (planar cell, fifth generation) | HEXFET (advanced process) |
| पैकेज | TO-220AB (3-pin through-hole) | TO-263-3 (D2PAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Surface Mount |
| Gate Drive Level | Logic-level | — |
| Avalanche Rated | Yes (ruggedized single-pulse avalanche) | — |
| Lead-Free (PBF suffix) | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per PBF suffix) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| MOSFET Operating Mode | — | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25°C | — | 110 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | 390 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) | — | 8 mΩ max @ Vgs=10V |
| Gate-Source Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 97.3 nC typical |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25°C | — | 200 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-Free / RoHS Compliant (PBF suffix) |
| Packaging | — | Tape & Reel (STRL) |