IRLML2803TRPBF vs IRLML6346TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLML2803TRPBF द्वारा Infineon और IRLML6346TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRLML2803TRPBF IRLML6346TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLML2803TRPBF —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW —
पैकेज Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 / SOT-23
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (TJ) —
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) —
MSL स्तर 1 1
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 3.4 A (TA=25C)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=2.5V — 63 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Drive Capability — 2.5V logic-level
Maximum Power Dissipation (PD) — 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4)
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +150C
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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