IRLML2803TRPBF vs IRLML6346TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML2803TRPBF tarafından Infineon ve IRLML6346TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML2803TRPBF IRLML6346TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLML2803TRPBF —
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW —
Paket Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 / SOT-23
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (TJ) —
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) —
MSL Seviyesi 1 1
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free —
Polarity — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) — 3.4 A (TA=25C)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=2.5V — 63 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Gate Drive Capability — 2.5V logic-level
Maximum Power Dissipation (PD) — 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
RoHS Durumu — Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin