IRLML6346TRPBF vs IRLML6246TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLML6346TRPBF द्वारा Infineon और IRLML6246TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLML6346TRPBF | IRLML6246TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.4 A (TA=25C) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | 63 mOhm | — |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| Gate Drive Capability | 2.5V logic-level | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +150C | — |
| पैकेज | Micro3 / SOT-23 | SOT-23 (Micro3) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET Power MOSFET | IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET) |
| MSL स्तर | 1 | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRLML6246TRPBF |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 4.1 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | 46 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.1 V (logic-level) |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total gate charge] |
| Power Dissipation (Ta=25C) | — | 1.3 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C (junction) |
| RoHS Compliance | — | Yes (Pb-free) |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |