IRLML6346TRPBF vs IRLML6246TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRLML6346TRPBF tarafından Infineon ve IRLML6246TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRLML6346TRPBF IRLML6246TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 3.4 A (TA=25C) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
RDS(on) max @ VGS=2.5V 63 mOhm —
RDS(on) max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
Gate Drive Capability 2.5V logic-level —
Maximum Power Dissipation (PD) 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket Micro3 / SOT-23 SOT-23 (Micro3)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET Power MOSFET IR MOSFET (HEXFET Power MOSFET)
MSL Seviyesi 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
RoHS Durumu Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLML6246TRPBF
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 4.1 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — 46 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=2.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 2.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.1 V (logic-level)
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg total gate charge]
Power Dissipation (Ta=25C) — 1.3 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free)
Klorürsüz — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin