IRLR024NTRLPBF vs IRLR024NTRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLR024NTRLPBF द्वारा Infineon और IRLR024NTRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLR024NTRLPBF | IRLR024NTRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 17 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 65 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | Logic-level (drive from 3.3V/5V logic) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10 nC (typical) | 10 nC (typical) |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | 45 W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | 3.3 °C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) | 50 °C/W (PCB mount) | — |
| Avalanche Rating | Fully avalanche rated | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + tab), Surface Mount | TO-252AA (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (junction) | -55 C to +175 C |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| MSL स्तर | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Technology | HEXFET (cellular N-channel MOSFET) | HEXFET (Advanced Process Technology) |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | — | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | — | 65 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 1.0 V to 2.0 V |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | — | 45 W |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| Gate Drive Level | — | Logic-Level |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-Free / RoHS Compliant |