IRLR2905TRPBF vs IRF640NPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLR2905TRPBF द्वारा Infineon और IRF640NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLR2905TRPBF | IRF640NPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) | HEXFET (5th Generation) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 27 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | 150 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | -55C to +150C |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-220AB (through-hole, 3-pin) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through Hole |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 18 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 150 mOhm max at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 44.7 nC |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| dv/dt Rating | — | Dynamic, rated |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |