IRLR2905TRPBF vs IRF640NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR2905TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF640NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR2905TRPBF IRF640NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET (5th Generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W 150 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C -55C to +150C
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount TO-220AB (through-hole, 3-pin)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Through Hole
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic-level compatible —
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — 44.7 nC
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں