IRLR2905TRPBF vs IRLR7843TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLR2905TRPBF द्वारा Infineon और IRLR7843TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLR2905TRPBF | IRLR7843TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) | HEXFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 27 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Gate Charge (Qg) | 32 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes / Compliant | Yes (PBF suffix = lead-free) |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C | — | 161 A |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 140 W |
| On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V | — | 3.3 mOhm |
| On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | — | 4.5 mOhm (typ) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 34 nC |
| Gate-to-Source Voltage Max | — | ±20 V |
| Avalanche Energy (Eas) | — | Fully characterized |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |