IRLR2905TRPBF vs IRLR7843TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR2905TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLR7843TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF - 30V 161A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR7843TRPBF - 30V 161A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLR7843TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR2905TRPBF IRLR7843TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) HEXFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 27 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Gate Charge (Qg) 32 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +175C —
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Lead-Free / RoHS Yes / Compliant Yes (PBF suffix = lead-free)
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Gate Drive Logic-level compatible —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 161 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 4.5 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 34 nC
Gate-to-Source Voltage Max — ±20 V
Avalanche Energy (Eas) — Fully characterized
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +175C

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں