IRLR3410TRPBF vs IRLR3410TRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLR3410TRPBF द्वारा Infineon और IRLR3410TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLR3410TRPBF | IRLR3410TRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) | HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 17 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 79 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 105 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | Logic-level (drive ~4.5V) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22.7 nC | 22.7 nC |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (tape and reel) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| MSL स्तर | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) | 1 |
| Drain Tab Connection | Tab electrically tied to Drain | — |
| Polarity | N-Channel enhancement mode | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRLR3410TRLPBF |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 17 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 60 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 105 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V] |
| Gate-Source Threshold VGS(th) typ | — | 2.0 V |
| Gate Drive Level | — | Logic level (5V capable) |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 79 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free) |
| Avalanche Rated | — | Yes (UIS tested) |