IRLR3410TRPBF vs IRLR3410TRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR3410TRPBF بذریعہ Infineon اور IRLR3410TRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR3410TRPBF IRLR3410TRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) HEXFET (5th generation) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
On-Resistance RDS(on) max 105 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) Logic-level (drive ~4.5V) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 22.7 nC
پیکیج TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (tape and reel)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
MSL لیول 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) 1
Drain Tab Connection Tab electrically tied to Drain —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLR3410TRLPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 105 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ VGS=5V]
Gate-Source Threshold VGS(th) typ — 2.0 V
Gate Drive Level — Logic level (5V capable)
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 79 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)
Avalanche Rated — Yes (UIS tested)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں