IRLR3636TRLPBF vs IRFZ48NSTRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLR3636TRLPBF द्वारा Infineon और IRFZ48NSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLR3636TRLPBF | IRFZ48NSTRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel Power MOSFET |
| Technology | IR HEXFET® (IR MOSFET™) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM rating] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.8 mΩ | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) | — |
| Total Gate Charge (QG) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25°C) | 143 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Avalanche Rated | Yes (per Infineon datasheet family) | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 64 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) | — | 14 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 54 nC |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 130 W |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 | — | 3.8 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel, TRL) |
| Lead Finish | — | Lead-free (PBF) matte tin |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Technology Family | — | HEXFET advanced process technology |