IRLR3636TRLPBF vs IRFZ48NSTRLPBF مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار IRLR3636TRLPBF توسط Infineon و IRFZ48NSTRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | IRLR3636TRLPBF | IRFZ48NSTRLPBF |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel MOSFET | N-Channel Power MOSFET |
| Technology | IR HEXFET® (IR MOSFET™) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) | 50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) | 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM rating] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | 6.8 mΩ | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | ±20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.5 V (logic-level) | — |
| Total Gate Charge (QG) | 33 nC | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25°C) | 143 W | — |
| محدوده دمای کاری | -55 °C to +175 °C (TJ) | — |
| بسته‌بندی | TO-252AA (DPAK) | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Avalanche Rated | Yes (per Infineon datasheet family) | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 64 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) | — | 14 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 54 nC |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 130 W |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 | — | 3.8 W |
| دمای اتصال کاری | — | -55C to +175C |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel, TRL) |
| Lead Finish | — | Lead-free (PBF) matte tin |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Technology Family | — | HEXFET advanced process technology |