IRLR3636TRLPBF vs IRFZ48NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR3636TRLPBF بذریعہ Infineon اور IRFZ48NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRLR3636TRLPBF IRLR3636TRLPBF - 60V 99A N-Ch IR MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR3636TRLPBF - 60V 99A N-Ch IR MOSFET, DPAK | Infineon

IRLR3636TRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR3636TRLPBF IRFZ48NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel MOSFET N-Channel Power MOSFET
Technology IR HEXFET® (IR MOSFET™) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 55 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25°C) 50 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=100°C) 32 A [DATA_NEEDED: exact TC=100°C ID rating] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM rating] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max @ VGS=10V 6.8 mΩ —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (logic-level) —
Total Gate Charge (QG) 33 nC —
Power Dissipation (PD, TC=25°C) 143 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (TJ) —
پیکیج TO-252AA (DPAK) D2PAK (TO-263) Surface Mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Avalanche Rated Yes (per Infineon datasheet family) —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Total Gate Charge (Qg) — 54 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
RoHS اسٹیٹس — Compliant
Technology Family — HEXFET advanced process technology

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں