IS43TR16256AL-125KBL vs H5AN8G4NCJR-XXC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IS43TR16256AL-125KBL द्वारा ISSI, Integrated Silicon Solution Inc और H5AN8G4NCJR-xxC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN8G4NCJR-xxC H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM | SK Hynix

H5AN8G4NCJR-xxC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IS43TR16256AL-125KBL H5AN8G4NCJR-xxC
ब्रांड ISSI, Integrated Silicon Solution Inc SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार SDRAM - DDR3L DDR4 SDRAM
मेमोरी आकार 4Gbit (256M x 16) —
इंटरफ़ेस Parallel —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 20 ns —
सप्लाई वोल्टेज 1.35V (backward compatible to 1.5V) 1.2V
पैकेज 96-TWBGA (9x13mm) FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान 0°C ~ 95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Memory Format DRAM —
Technology SDRAM - DDR3L —
डेटा दर 1600 Mbps [DATA_NEEDED: speed grade from xxC suffix]
RoHS स्थिति Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Number of Terminals 96 —
Density — 8Gb
संगठन — x4 (H5AN8G4NCJR)
RoHS — Compliant
हैलोजन फ्री — Yes
Prefetch — 8-bit
Burst Length — 8 (BL8)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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