ISC045N03L5SATMA1 vs IPD70N10S3L12ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC045N03L5SATMA1 द्वारा Infineon और IPD70N10S3L12ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC045N03L5SATMA1 | IPD70N10S3L12ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC045N03L5SATMA1 | IPD70N10S3L12ATMA2 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 / Trench | OptiMOS-T (N-Channel Trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 63 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V @ ID=250 µA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 870 pF @ VDS=15 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| पैकेज | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 70 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-State Resistance R_DS(on) typ @ VGS=10V | — | 11.5 mOhm |
| On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: R_DS(on) max] |
| Threshold Voltage VGS(th) typ | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge Qg | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation PD at TC | — | 125 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |