ISC045N03L5SATMA1 vs IPD70N10S3L12ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC045N03L5SATMA1 tarafından Infineon ve IPD70N10S3L12ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC045N03L5SATMA1 IPD70N10S3L12ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number ISC045N03L5SATMA1 IPD70N10S3L12ATMA2
Transistor Türü N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS 5 / Trench OptiMOS-T (N-Channel Trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 18 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 63 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V @ ID=250 µA —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Total Gate Charge (Qg) 13 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF @ VDS=15 V —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 30 W —
Paket SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) PG-TO252-3-11 (DPAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TC — 70 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-State Resistance R_DS(on) typ @ VGS=10V — 11.5 mOhm
On-State Resistance R_DS(on) max @ VGS=10V — [DATA_NEEDED: R_DS(on) max]
Threshold Voltage VGS(th) typ — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation PD at TC — 125 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin