ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISC052N03LF2SATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISZ033N03LF2SATMA1 द्वारा Infineon और ISC052N03LF2SATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISZ033N03LF2SATMA1 | ISC052N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 20 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 109 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 71 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V max @ 30 uA | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) | PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 30V |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 74 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 52 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +150°C |
| Polarity | — | N-Channel |
| पिन काउंट | — | 8 |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |