ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISC052N03LF2SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISZ033N03LF2SATMA1 tarafından Infineon ve ISC052N03LF2SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | ISZ033N03LF2SATMA1 | ISC052N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 20 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 109 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 71 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V max @ 30 uA | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) | PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 | Trench MOSFET (OptiMOS 5) |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 30V |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 74 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 5.2 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 52 W |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55°C to +150°C |
| Polarity | — | N-Channel |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |