ISZ033N03LF2SATMA1 vs ISZ019N03L5SATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISZ033N03LF2SATMA1 द्वारा Infineon और ISZ019N03L5SATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 - 30V 1.9mΩ OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ019N03L5SATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISZ033N03LF2SATMA1 | ISZ019N03L5SATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 20 A | 22 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 109 A | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 71 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.35 V max @ 30 uA | 2 V (typical) |
| On-Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | 44 nC at VGS=10V |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | PG-TSDSON-8 FL (8-pin) | PG-TSDSON-8-FL (5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 (<= 40V) |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 1.9 mΩ (typical, ID=20A) |
| Gate-Source Voltage Rating (VGS) | — | ±20 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 2800 pF at VDS=15V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C (TJ max) |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS / REACH | — | Compliant |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| RG-tested | — | 100% |