ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISC060N06NM6ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISZ072N06NM6ATMA1 द्वारा Infineon और ISC060N06NM6ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
ISC060N06NM6ATMA1 - 60V 62A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC060N06NM6ATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISZ072N06NM6ATMA1 | ISC060N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 57 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 12.7 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| पैकेज | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) | PG-TDSON-8 (TDSON-8) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C ( Tj max 175C ) | -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 6 (60V generation) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 15.2 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 62 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Gate Drive | — | Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] |