ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISC060N06NM6ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của ISZ072N06NM6ATMA1 bằng Infineon và ISC060N06NM6ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
ISC060N06NM6ATMA1 - 60V 62A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISC060N06NM6ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | ISZ072N06NM6ATMA1 | ISC060N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 57 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 12.7 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] |
| Tiêu hao điện năng (TC=25°C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Hộp | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) | PG-TDSON-8 (TDSON-8) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55C to +175C ( Tj max 175C ) | -55C to +175C (junction, per OptiMOS 6 family) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 6 (60V generation) |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Series | — | OptiMOS 6 |
| Kiểu transitor | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 15.2 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 62 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 50 W |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Gate Drive | — | Standard gate drive (10 V VGS recommended for full RDS(on)) |
| On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ/nC] |